传三星HBM3E芯片存在运行过热问题,导致无法通过英伟达的验证
智能科技 2024-05-26222669852srtt
美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证,并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。
据相关媒体报道,三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题,其中芯片运行过热就是一个大问题。据了解,三星从去年开始,就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证,但是一直没有通过,这意味着这些问题已经存在至少六个月的时间。
有业内人士透露,三星提供的8层堆叠和12层堆叠的HBM3E芯片都有问题,因此英伟达暂时只可能在SK海力士或者美光处下单。其中SK海力士早在2022年6月左右就开始向英伟达提供HBM3,用于H100,然后从2024年3月起又开始供应HBM3E。
暂时还不清楚三星的HBM3和HBM3E芯片到底是生产问题,还是与封装相关的问题,或者是其他问题。与SK海力士和美光相比,三星开发的时间更短一些,显得有些匆忙。此前有消息称,三星的HBM3E产品在制造工艺上有些许差异,而台积电基于的是SK海力士的检测标准,因此受到的影响。
对此三星官方表示,这些属于根据客户需求定制产品的问题,并否定了过热的说法,称测试正在按计划进行。
【来源:超能网】
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